长鑫存储申请待测内存模块的测试方法、装置、设备及介

　　金融界2024年4月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“待测内存模块的测试方法、装置、设备及介质“，公开号CN117831598A，申请日期为2022年9月。

　　专利摘要显示，本公开提供了一种待测内存模块的测试方法、装置、设备及介质，涉及半导体技术领域。待测内存模块的每相邻两根原有字线合并为一根新字线，该方法包括：获取物理地址与字线逻辑地址之间的错位映射关系，其中，错位映射关系是对字线合并前的物理地址与字线逻辑地址之间的地址映射关系调整得到的，错位映射关系用于实现各新字线的字线逻辑地址与物理地址之间的映射；基于错位映射关系，在测试机台的预设测试功能下对待测内存模块进行写入，以实现对待测内存模块的漏电检测，其中，预设测试功能用于按照预设测试图案对待测内存模块的各存储单元进行写入。根据本公开实施例，能够提高了测试的精确度以及测试效率。