三星正在开发新型LLW DRAM：高带宽、低延迟、

　　随着人工智能（AI）相关软硬件激增，为了应对超大规模的市场，三星正在向市场推出基于特定应用要求的存储组合产品，包括DDR5、HBM类产品、CXL内存模块等，为各种人工智能技术提供动力。

　　近日，三星官方介绍了旗下存储产品的开发和技术应用情况。其中谈到了正在开发一种新型存储器，称为“Low Latency Wide I/O（LLW）DRAM”，将高带宽、低延迟、低功耗的特性结合在一起。三星将新的内存技术定位在需要运行大型语言模型（LLM）的设备上，未来也可能出现在各种客户端工作负载中。

　　LLW DRAM作为一种低功耗内存，拥有宽I/O、低延迟、每个模块/堆栈提供了128GB/s的带宽，与一个128位DDR5-8000内存子系统的带宽相同。LLW DRAM另一个重要特性是1.2pJ/bit的超低功耗，不过三星没有告知该功耗下的具体数据传输速率。

　　事实上，三星并没有透露LLW DRAM太多的细节信息，尽管已经对宽接口内存技术（比如GDDR6W）探索了一段时间了。据了解，LLW DRAM在设计上可能会借鉴GDDR6W，并采用扇出晶圆级封装（FOWLP）技术将多个DRAM集成到一个封装中。